終極理論」，直到拓撲量子物態被實驗發現。
最著名的例子是大概就是量子霍爾效應的實驗發現了。
1980年克勞斯·馮·克利辛等人發現，在極低溫、強磁場下，Si-SiO2界面反型層中二維電子氣會展示出量子化的霍爾電阻平台，並且會伴隨零縱向電阻的出現。
這種現象引出了超越朗道範式的拓撲量子相變理論，如今已經成為了凝聚態物理的研究焦點與前沿.
一點一點的，徐川從最初的凝聚態物理開始回憶思索，當量子霍爾效應進入他的腦海時，他的眼神也的跟着逐漸明亮了起來。
他似乎找到了自己之前的靈感來源於哪裏了。
思索着，他加快了一些推理的速度。
「.從整數量子霍爾效應從實驗發現至今，已發現相當多的拓撲量子材料和新奇的量子效應。「
「比如磁性拓撲材料中手性無耗散邊緣態可實現低能耗電子器件，以及拓撲超導體系中則存在馬約拉納零能模等等。「
「後者與拓撲量子計算密切相關，它們是拓撲量子物態兩個重要的發展方向，等等，拓撲量子物態.我找到了！「
辦公桌前，徐川激奮雙手攥拳用力的揮舞了一下。
他重新找回了自己的那絲靈感，找到了在那份數據中發現的東西！
【拓撲超導體系!】
一個區別於常規超導材料的領域，應用於拓撲量子計算方向的材料！
在拓撲超導體材料中，有一個非常重要的東西叫做『馬約拉納零能模』。
它具有非阿貝爾任意子的特徵，可以用於實現拓撲量子計算。
即實現常規意義上的量子計算機計算！
2001年的時候，米國的理論物理學家基塔耶夫提出一個一維拓撲超導的模型，在其端點可以實現馬約拉納零能模。
而這個模型可以利用具有強自旋軌道耦合的半導體納米線，可以在外加磁場下實現與s波超導耦合，進而出構造高質量的拓撲量子比特器件。
簡單的來說，這東西可以構成量子電晶體的基礎，而量子電晶體是量子晶片的核心。
當然，再怎麼樣核心的東西，都離不開最為基礎的材料。
傳統統晶片是以矽為原材料的半導體；
而量子晶片原材料則更為豐富，可以是超導體、半導體、絕緣體或者金屬都可以。但不管如何，它都離不開核心的量子比特效應。
如何讓量子比特不受干擾的完成自己的使命，是當前量子器件的核心難題。
而拓撲量子材料在這方面理論上來說有着優異的性能。
比如內稟拓撲超導體，其本身具有拓撲非平庸的帶隙結構。
而通過調控外磁場，可以實現有序的、密度和幾何形狀可調的渦旋結構，這為操縱和編織『馬約拉納零模態』提供了一個理想的材料平台。
而理論上來說，四個馬約拉納零能模就可編織成一個拓撲量子比特，這種准粒子的編織操作是實現容錯拓撲量子計算的重要途徑。
因為它直接避開了傳統量子超導—半導體界面這一複雜問題。
事實上，這麼優秀的材料，自然引起了科學界的重視。
但它的缺點也不小。
如果構建這種合適的拓撲量子材料，就是最大的問題。
比如所需特徵離費米能級太遠，分佈的能量範圍太大等等。
但對於徐川來說，他在模擬數據上找到了一條理論上應該可行的道路。
想着，徐川快速的拾起了桌上的圓珠筆，在A4稿紙上揮寫了起來。
儘管這份突如起來的靈感早已經偏離了他原本的研究。
但如果一切順利的話，他或許能為解決這個麻煩提供完整的理論支持，為量子計算機的到來推上那麼一把助力！
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第四百九十一章：突如其來的靈感
