使用電弧放電法和激光燒蝕法來製備碳基晶片，兩者能做到的晶片進程一個在微米級，另一個雖然達到了納米級，但也超過了五百納米。」
「要想繞開光刻機這一關鍵技術去加工雕刻碳基晶片，目前來說幾乎不可能，很難很難。」
簡單的解釋了一下，趙光貴的目光落在手中的晶片上。
事實上，想要繞開光刻機去製備碳基晶片的，又何止是眼前這位一個。
其他的不說，華威海思、中芯國際，甚至聯發科，台積電，英特爾等等的半導體晶圓代工廠都想找到一條繞開光刻機加工晶片的道路。
這段時間他負責和華威海思、中芯國際等團隊的人配合生產研究碳基晶片的時候，也向那些專業的晶片研發人員諮詢過這個問題。
這條路不是那麼容易走的。
人類在半導體的發展上走了幾十年，才最終確定了矽基晶片這條路。
其原因在於矽的成本效益高、化學穩定性好、半導體屬性優秀、加工技術成熟等等原因。
尤其是半導體屬性優秀，是其中非常關鍵的一點。
矽是一種天然的半導體材料，它在純淨形態下電阻大，在添加少量雜質（摻雜）後，可以控制其電導性，從而有效地在導電與絕緣之間切換，這是製造晶片時不可或缺的屬性。
相對比矽來說，其他的材料在這方面都有着自己的缺陷。
比如人類最早使用的鍺基晶片。
鍺是最早用於電晶體的材料，但由於其在地殼中的含量較低，導致成本較高，且穩定性不如矽，因此逐漸被矽取代。
還有現在他們研發的碳基晶片。
雖然說碳基材料雖然具有一些優勢，如更高的運行速度和更低的功耗，但其熱導率較低，加工難度大且成本高，這些問題都極大限制了碳基晶片的廣泛應用。
尤其是摻雜電路控制和大規模的排列碳納米管或石墨烯片，都是碳基晶片生產過程中的巨大難題。
相對比之下，矽材料的優勢要大很多很多了。
雖然說高純度的單晶矽、光刻膠等等都是難題，但它最大的難題還是光刻機。
只有頂尖的光刻機，才能製備出更低納米的矽基晶片。
毫不誇張的說，在目前人類所研究過的晶片製備技術中，矽基晶片是最簡單的一條。
而即便是其中最簡單一條，也是耗費了幾乎整個西方利益集團+幾十年的時間才逐漸一點一點的完善起來的。
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想要彎道超車，繞開光刻機直接雕刻加工晶片，談何容易。
可以說你能想到過的道路，那些晶片領域的研發人員幾乎全都想到過並且曾經嘗試過。
......
雖然說光刻機目前依舊是攔在碳基晶片面前的一道難題，但趙光貴並沒有太過擔憂。
他笑了笑，接着說道：「雖然說光刻機的問題很大，但目前來說我們並不需要太過擔憂。」
「國內研究光刻機的廠商還是有的，比如魔都那邊的魔都微電子公司，他們已經有了成熟的光刻機製備體系。並且研發出90納米、110納米、280納米以及55納米四大系列的國產光刻機。」
「而目前正在推進的28納米光刻機也即將成熟。」
「而對於碳基晶片來說，碳基電晶體在物理屬性上的優越性足夠在一定程度上彌補我們在製程工藝上的不足。」
「理論上來說，只要我們能夠將每平方毫米的碳基電晶體數量提升到三千萬顆，它所爆發出來的性能，就足以媲美現在世面上的中高端晶片。」
「這也是我們接下來的重點研究方向。」
徐川點了點頭，問道：「那距離這個目標，我們大概還需要多長的
