了28nm的製程，但是良品率遠沒有asml來的高。」
「更重要的在於28nm好研究，但是想再往前，14nm、7nm的光刻機會異常困難。」
「目前光刻機指標有node cd和half-pitch cd。」
「half-pitch cd 是專用於光刻領域描述光刻分辨度的技術指標。比如說前一代193i光刻機， hp cd極限值等於38 nm.現在的euv nxe 3400b可以做到極限13nm.」
「node cd跟 hp cd不是一個概念。」
「node cd是一個半導體器件的概念，目前主流媒體所說的技術節點便是這個node cd。」
「一般來說 node cd約等於1/2 *hp cd。」
cd全稱是critical dimension
「其中11年 intel首先將finfet技術引入22 nm節點。」
「22nm要求 44nm的光刻hp cd。這個要求在實際工藝中很難實現，太接近38nm極限值了。」
「所以intel率先使用double patterning技術。這一技術把同一層的非常靠近的光刻圖案分解到兩個掩模(mask)上。分兩次曝光實現。」
「同理，self-aligned的技術也被引入，三次曝光，四次曝光都成為了可能。」
程鋼聽得滿臉問號，內心對young在半導體領域的造詣之深感到震驚。
五十歲的人了對前沿技術信手拈來，能做成idg的合伙人果然都是狠人。
他沒有打斷young，因為他對這方面也很感興趣。
「所以就光刻技術而言，解像度並不是大問題。尤其在self-aligned技術中。deposition澱積可以實現非常好的精度控制，特別是ald，能實現 atom on atom的精確控制。」
「既然光刻圖案需要被分解到多個mask上，晶片的圖案自然不能由着晶片ic設計師隨意畫了，得遵循光刻的規則。」
「花為海思部門有在申海的，有在鵬城的。沒一家在彎彎。」
「而這種光刻版圖的規則毫無疑問是晶片代工廠的最高機密。tsmc不可能透露給客戶的。海思只能把邏輯設計交給台積電，台積電再進行製造的優化。」
「海思原始設計沒辦法考慮這些光刻規則。這也是為什麼業界一直認為長期競爭中，intel與三星優勢的原因。」
「三星很早就把三次，甚至四次曝光（self-aligned）技術引入了nand fsh生產。」
「因此當台積電還在22 nm時，三星就開始宣傳我們已經有14 甚至 10 nm技術了。大概是13年的時候。」
「三星與台積電在晶片代工中是競爭對手。台積電嘴巴上當然不能輸。悄悄的放寬了node cd的定義，也把自己技術從22 nm吹到了14nm。」
「這種誇大也延續到了現在，實際上三星跟台積電的7nm只比intel的14nm強一點，強的有限。」測試廣告2
